银联宝科技的四大法则教你如何正确的选择MOS管

发布时间:2018年10月31日 10:10    作者:花海石
法则之一:用N沟道or P沟道
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关澳门百家樂玩法设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

法则之二:确定MOS管的额定电流
该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在KG开元棋牌产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确 定,并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

法则之三:选择MOS管的下一步是KG开元棋牌的散热要求
须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保KG开元棋牌不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个式子可解出KG开元棋牌的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的最大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板 及其MOS管的散热。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

法则之四:选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能
影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

银联宝科技是您MOS管场效应管的首选平台,我们将为您提供最高效、最方便、最理想的服务,为您提供最实惠的价格。银联宝设计生产的MOSFET,具有低内阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点,原装正品发售,品质有保障。
欢迎分享本文,转载请保留出处:thread-549236-1-1.html     【打印本页】
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
澳门百家樂玩法工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
回顶部
博聚网